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长曝光制冷CMOS相机 FL 26BW

产品简介

长曝光制冷CMOS相机 FL 26BW

28.3 mm(1.8“)
6244(H) × 4168 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

产品型号:
更新时间:2024-05-16
厂商性质:生产厂家
访问量:545

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品牌鑫图型号:FL 26BW
芯片类型:BSI CMOS芯片型号:SONY IMX571BLR-J
彩色/黑白:黑白对角线尺寸:28.3 mm (1.8
有效面积:23.4 mm x 15.6 mm像素大小:3.76 μm × 3.76 μm
分辨率:6244(H) × 4168 (V)峰值量子效率:92 % @ 460 nm
暗电流:< 0.0005 e-/p/s位深:16 bit
增益模式:Gain 0,Gain 1,Gain 2,Gain 3满阱容量:50 ke- @ Gain 0,15 ke- @ Gain 1,7.8 ke- @ Gain 2,3
读出噪声:2.7 @ Gain 0,1.0 @ Gain 1,0.95 @ Gain 2,0.85@ Gain帧率:6.5 fps
快门类型:卷帘曝光时间:34 μs ~ 60 min
图像校正:DPCROI:支持
Binning:2 x 2,3 x 3,4 x 4,5 x 5,6 x 6,8 x 8,16 x 16制冷方式:风冷
制冷温度:-25 ℃ @ 室温(22 ℃)触发模式:硬件,软件
触发输出:曝光开始,全局,读出结束,高电平,低电平触发接口:Hirose
SDK:C,C++,C#数据接口:USB 3.0
光学接口:M42,用户定制电源:12 V / 8 A
功耗:≤ 55 W相机尺寸:85 mm x 85 mm x 97 mm
重量: 945 g操作系统:Windows / Linux
操作环境:工作:温度 0~40 °C, 湿度 10~85 %;储存:温度 -10~60 ℃, 湿度 0~85

长曝光制冷CMOS相机 FL 26BW 是鑫图新一代深度制冷产品的新成员。它采用索尼新的背照式CMOS探测器,和鑫图先进制冷密封工艺、图像降噪技术联合打造,在超长曝光性能达到深度制冷CCD水平的同时,视野(1.8英寸),速度、动态范围等性能全面超越典型的CCD。 可以替代制冷CCD长曝光应用,在高级显微成像和工业检测上也有广泛的应用前景。




<0.0005 e-/p/s暗电流 可替代冷CCD长曝光应用


FL 26BW 暗电流低至0.0005 e-/p/s, 芯片制冷温度可锁定到零下25℃。即使在长达30分钟曝光时,成像性能(信噪比)仍优于典型深度制冷CCD(ICX695)。


长曝光制冷CMOS相机 FL 26BW




背景均一 定量分析更精准


FL 26BW 集成了索尼新背照式芯片优异的辉光抑制能力,和鑫图先进图像降噪处理技术,基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良因素,成像背景均一,更适合定量分析应用。


长曝光制冷CMOS相机 FL 26BW



SONY 背照式科学级芯片 综合成像性能*


FL 26BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS探测器,长曝光性能和CCD相当,峰值量子效率高达92%,读出噪声仅0.9 e-,弱光成像能力超越CCD,动态范围更是传统CCD的4倍以上。


长曝光制冷CMOS相机 FL 26BW




典型应用参考

长曝光制冷CMOS相机 FL 26BW





 

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